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CSD18540Q5B相关型号
TI热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • CSD18540Q5B

  • 制造商：Texas Instruments
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET 60V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Texas Instruments
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:VSON-Clip-8
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:60 V
  • Id-连续漏极电流:100 A
  • Rds On-漏源导通电阻:2.2 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:10 V
  • Qg-栅极电荷:41 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:188 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:NexFET
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:1 mm
  • 长度:6 mm
  • 系列:CSD18540Q5B
  • 晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET
  • 宽度:5 mm
  • 商标:Texas Instruments
  • 开发套件:BOOSTXL-DRV8305EVM, DRV8704EVM
  • 下降时间:3 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:9 ns
  • 工厂包装数量:2500
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:20 ns
  • 典型接通延迟时间:6 ns

其它信息

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