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CSD23203WT相关型号
TI热销型号

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  • CSD23203WT

  • 制造商：Texas Instruments
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET CSD23203W 8V P-Ch NexFET Power MOSFET
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Texas Instruments
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:DSBGA-6
  • 晶体管极性:P-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:8 V
  • Id-连续漏极电流:3 A
  • Rds On-漏源导通电阻:53 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV
  • Vgs - 栅极-源极电压:6 V
  • Qg-栅极电荷:4.9 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 商标名:NexFET
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:0.625 mm
  • 长度:1.5 mm
  • 系列:CSD23203W
  • 宽度:1 mm
  • 商标:Texas Instruments
  • 下降时间:27 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:12 ns
  • 工厂包装数量:250
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:58 ns
  • 典型接通延迟时间:14 ns
  • 单位重量:1.700 mg

其它信息

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