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场效应管(MOSFET) IPB80N06S2-H5 Infineon(英飞凌)

  • 发布日期：日期：2023-05-06
  • 编辑：
  • 文章来源：13528438344陈丹丹
制造商: Infineon  
产品种类: MOSFET  
RoHS:  详细信息  
技术: Si  
安装风格: SMD/SMT  
封装 / 箱体: TO-263-3  
晶体管极性: N-Channel  
通道数量: 1 Channel  
Vds-漏源极击穿电压: 55 V  
Id-连续漏极电流: 80 A  
Rds On-漏源导通电阻: 5.2 mOhms  
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  
最小工作温度: - 55 C  
最大工作温度: + 175 C  
Pd-功率耗散: 300 W  
通道模式: Enhancement  
封装: Reel  
封装: Cut Tape  
封装: MouseReel  
商标: Infineon Technologies  
配置: Single  
下降时间: 22 ns  
高度: 4.4 mm  
长度: 10 mm  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 23 ns  
工厂包装数量: 1000  
子类别: MOSFETs  
晶体管类型: 1 N-Channel  
典型关闭延迟时间: 48 ns  
典型接通延迟时间: 23 ns  
宽度: 9.25 mm  
零件号别名: SP000218162 IPB80N06S2H5ATMA1  
单位重量: 4 g 

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