BSC22DN20NS3 G Infineon(英飞凌) TDSON-8-EP(6x5) 20K现货供应，深圳市天卓伟业

当前位置: TI >> 新闻与资源 >> BSC22DN20NS3 G Infineon(英飞凌) TDSON-8-EP(6x5) 20K现货供应，深圳市天卓伟业

BSC22DN20NS3 G Infineon(英飞凌) TDSON-8-EP(6x5) 20K现货供应，深圳市天卓伟业

发布日期：日期：2023-07-15
编辑：
文章来源：13528438344陈丹丹

咨询了解13528438344陈丹丹

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 194 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 5.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 34 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS 3
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 3 ns
正向跨导 - 最小值: 3.5 S
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 4 ns
5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 6 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
宽度: 5.15 mm
零件号别名: BSC22DN2NS3GXT SP000781778 BSC22DN20NS3GATMA1
单位重量: 123.670 mg