IPD25N06S4L-30 Infineon(英飞凌) TO-252-3 20k现货供应，陈丹丹13528438344
- 发布日期：日期：2024-06-15
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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 25 A
Rds On-漏源导通电阻: 23 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 16.3 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 29 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS-T2
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 2 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 1 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: IPD25N6S4L3XT SP000481508 IPD25N06S4L30ATMA1
单位重量: 330 mg