MOSFET BSP89 E6327 Infineon(英飞凌) SOT-223-4 20k
- 发布日期：日期：2024-11-23
- 编辑：BSP89 E6327
- 文章来源：陈丹丹13528438344
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
发货限制：
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RoHS: N
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 240 V
Id-连续漏极电流: 350 mA
Rds On-漏源导通电阻: 7.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 18.4 ns
正向跨导 - 最小值: 0.36 S / 0.18 S
高度: 1.6 mm
长度: 6.5 mm
产品: MOSFET Small Signals
产品类型: MOSFETs
上升时间: 3.5 ns
1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: SIPMOS Small Signal Transistor
典型关闭延迟时间: 15.9 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
宽度: 3.5 mm
单位重量: 112 mg